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迷用品商城地址「『网站』:———mmgg520.com———」该 DRAM 结构采用 CoP 架构，即将存储单元垂直堆叠在外围电路之上。以往在该结构中，由于在存储单元堆叠工艺过程中会产生约 550 ℃ 的高温，位于下层的外围晶体管容易受损，导致性能下降。　　免责声明：本文内容由网友综合整理，版权归原作者所有。刊发此文旨在信息传递，不代表本网站观点和立场。内容未经本网核实，请读者自行核实并作为参考。「『网站』:———mmgg520.com———」迷用品商城地址「『网站』:———mmgg520.com———」