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女士迷催药[瑁欑劧]

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论坛元老

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发表于 前天 01:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
女士迷催药《網·址ctmyao.com》技术层面,相比于 FinFET,GAA 通过纳米片堆叠结构强化电流控制能力,并有效抑制漏电,使 2nm 在相同功耗下带来 10? 15?性能提升,或在性能不变的情况下实现 25? 30?功耗下降。该文观点仅代表作者本人,人人都是产品经理平台仅提供信息存储空间服务《網·址ctmyao.com》女士迷催药《網·址ctmyao.com》



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